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F系列部分耗盡硅面壘型輻射探測器
  • 產(chǎn)品型號:
  • 更新時間:2025-07-29
簡要描述:

主要應用重離子譜學

產(chǎn)品詳情
主要應用
重離子譜學。
  • 資料 +

    • Download link F系列宣傳冊
    • Download link F系列宣傳冊(A4)
  • 安裝布局 +


    訂購時必須指定安裝座。

    A
     這是一個“環(huán)形安裝座”;即硅晶片在其環(huán)上,沒有輸出連接器。這種不常使用的布局可應特殊要求提供。

    B
     背面的Microdot連接器。

    C  背面的BNC連接器。

    尺寸以毫米為單位。


    探測器尺寸(mm2)

    W (標稱)
    A  B Microdot C BNC
    X Y  X Y Z X Y Z
     100  11.3 22.0 3.7
    23.6 12.3 7.1 23.6 12.3 15.9
     300  19.5 27.1 3.7
    28.6 12.3 7.1 28.6 12.3 15.9
     400 22.6 30.5 3.7
    32.0 12.3
    7.1 32.0 12.3
    15.9
     600  27.6 34.1 3.7
    36.1 12.3
    7.1
    36.1 12.3
    15.9
     900  33.9 43.2 3.7
    45.2 12.3
    7.1
    45.2 12.3
    15.9
     公差 ±0.5 ±0.3
    ±0.3
    ±0.3
    ±0.3
    ±0.3
    ±0.3
    ±0.3
    ±0.3
  • 訂購信息 +


    訂購時必須指定安裝座。

    除非另有說明,否則提供B安裝座。

    *所有標準重離子探測器都以特定的角度從母晶體上偏軸切割,這將限度地減少離子穿隧效應。除非以適當?shù)淖帜盖熬Y另行指定,否則提供B安裝座。

    **>特殊訂單的深度更大。

    †場強≥15 kV/cm。

    :兼容Alpha套件的探測器:ENS-系列(購買新系統(tǒng)時含安裝和測試)、ENS8系列(新系統(tǒng)的8包備件)、B接口的ULTRA-AS和低本底R系列探測器型號保證與Alpha套件產(chǎn)品(DUO、MEGA、ARIAENSEMBLE)兼容。所有其他探測器都需要經(jīng)過特殊批準以保證其兼容性及指標規(guī)格。

     


    有效面積 (mm2)


    噪聲(keV

    60 μm 部分耗盡

    型號

    100

    18

    F-018-100-60

    300

    23

    F-023-300-60

    400

    28

    F-028-400-60

    600

    33

    F-033-600-60

    900

    35

    F-035-900-60


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